独家观察!威孚高科慷慨回馈股东 每10股派10元 6月20日除权除息

博主:admin admin 2024-07-09 05:52:36 336 0条评论

威孚高科慷慨回馈股东 每10股派10元 6月20日除权除息

上海 – 2024年6月14日 – 威孚高科(000581.SZ)今日宣布公司2023年度权益分派方案:拟向全体股东每10股派发10元人民币现金红利(含税),共计派发现金约12.6亿元。除权除息日定于2024年6月20日。

此次高额分红彰显了威孚高科回馈股东的坚定决心,以及对公司未来发展前景的强大信心。2023年,威孚高科在汽车零部件、新能源汽车、医疗器械等核心业务领域持续深耕,取得了优异的经营业绩。公司实现营业收入约412亿元,同比增长约11%;归属于上市公司股东的净利润约22亿元,同比增长约15%。

在良好的盈利能力和充裕的现金流基础上,威孚高科坚持以股东为中心,不断提升股东回报水平。此次拟派发的10元现金红利,不仅体现了公司对股东的感谢,也为股东带来了实实在在的收益。

展望未来,威孚高科将继续秉承“价值驱动、创新致胜”的经营理念,加快推进高质量发展,为股东创造更大价值。

关于威孚高科

威孚高科成立于1995年,是中国领先的汽车零部件供应商之一,也是全球最大的汽车零部件综合制造商之一。公司主要从事汽车零部件、新能源汽车、医疗器械等业务。公司产品广泛应用于乘用车、商用车、工程机械等领域,并远销全球。

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三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后

[美国,加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告,三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位,其平均每单元比特堆叠层数达到了176层,而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出,三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术,例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术,使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外,三星还开发了一种新的3D NAND架构,该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金,并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存,预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一,具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长,3D NAND闪存市场预计将快速增长。

关于TechInsights

TechInsights是一家专注于半导体和集成电路领域的技术研究公司。该公司为客户提供各种市场研究和分析服务,包括市场趋势分析、技术分析和竞争对手分析。

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